1、針孔。針孔是由于鍍件表面吸附著(zhù)氫氣，遲遲不釋放。使鍍液無(wú)法親潤鍍件表面，從而無(wú)法電析鍍層。隨著(zhù)析氫點(diǎn)周?chē)鷧^域鍍層厚度的增加，析氫點(diǎn)就形成了一個(gè)針孔。特點(diǎn)是一個(gè)發(fā)亮的圓孔，有時(shí)還有一個(gè)向上的小尾巴。當鍍液中缺少濕潤劑而且電流密度偏高時(shí)，容易形成針孔。

2、麻點(diǎn)。麻點(diǎn)是由于受鍍表面不干凈，有固體物質(zhì)吸附，或者鍍液中固體物質(zhì)懸浮著(zhù)，當在電場(chǎng)作用下到達工件表面后，吸附其上，而影響了電析，把這些固體物質(zhì)嵌入在電鍍層中，形成一個(gè)個(gè)小凸點(diǎn)。特點(diǎn)是上凸，沒(méi)有發(fā)亮現象，沒(méi)有固定形狀。是工件臟、鍍液臟而造成。

3、氣流條紋。氣流條紋是由于添加劑過(guò)量或陰極電流密度過(guò)高或絡(luò )合劑過(guò)高而降低了陰極電流效率從而析氫量大。如果當時(shí)鍍液流動(dòng)緩慢，陰極移動(dòng)緩慢，氫氣貼著(zhù)工件表面上升的過(guò)程中影響了電析結晶的排列，形成自下而上一條條氣流條紋。

4、掩鍍。掩鍍是由于是工件表面管腳部位的軟性溢料沒(méi)有除去，無(wú)法在此處進(jìn)行電析沉積鍍層。電鍍后可見(jiàn)基材，故稱(chēng)露底(因為軟溢料是半透明的或透明的樹(shù)脂成份)。

5、鍍層脆性。在SMD電鍍后切筋成形后，可見(jiàn)在管腳彎處有開(kāi)裂現象。當鎳層與基體之間開(kāi)裂，判定是鎳層脆性。當錫層與鎳層之間開(kāi)裂，判定是錫層脆性。造成脆性的原因多半是添加劑，光亮劑過(guò)量，或者是鍍液中無(wú)機、有機雜質(zhì)太多造成。

6、氣袋。氣袋的形成是由于工件的形狀和積氣條件而形成。氫氣積在“袋中”無(wú)法排到鍍液液面。氫氣的存在阻止了電析鍍層。使積累氫氣的部位無(wú)鍍層。在電鍍時(shí)，只要注意工件的鉤掛方向可以避免氣袋現象。如圖示工件電鍍時(shí)，當垂直于鍍槽底鉤掛時(shí)，不產(chǎn)生氣袋。當平行于槽底鉤掛時(shí)，易產(chǎn)生氣袋。

7、塑封黑體中央開(kāi)“錫花”。在黑體上有錫鍍層，這是由于電子管在焊線(xiàn)時(shí)，金絲的向上拋物形太高，塑封時(shí)金絲外露在黑體表面，錫就鍍在金絲上，像開(kāi)了一朵花。不是鍍液?jiǎn)?wèn)題。

8、“爬錫”。在引線(xiàn)與黑體的結合部(根部)有錫層，像爬墻草一樣向黑體上爬，錫層是樹(shù)枝狀的疏松鍍層。這是由于鍍前處理中，用銅刷刷洗SMD框架，而磨損下來(lái)的銅粉嵌入黑體不容易洗掉，成為導電“橋”，電鍍時(shí)只要電析金屬搭上“橋”，就延伸，樹(shù)枝狀沉積爬開(kāi)來(lái)與其他的銅粉連接，爬錫面積越來(lái)越大。

9、“須子錫”在引線(xiàn)和黑體的結合部，引線(xiàn)兩側有須子狀錫，在引線(xiàn)正面與黑體結合部有錫焦狀堆錫。這是由于SMD框架在用掩鍍法鍍銀時(shí)，掩鍍裝置不嚴密，在不需要鍍銀的地方也鍍上了銀。而在塑封時(shí)，有部分銀層露在黑體外面。而在鍍前處理時(shí)銀層撬起，鍍在銀上的錫就像須子一樣或成堆錫�？朔�銀層外露是掩鍍銀技術(shù)的關(guān)鍵之一。

10、橘皮狀鍍層。當基材很粗糙時(shí)，或者前處理過(guò)程中有過(guò)腐蝕現象或者在Ni42Fe+Cu基材在鍍前處理時(shí)，有的銅層已除去，而有的區域銅層還沒(méi)有退除，整個(gè)表面發(fā)花不平滑。以上情況都可能造成鍍層橘皮狀態(tài)。